主送：国科委聂主任、陈副主任
报送：上级
起草人：郝仁
日期：一九五九年四月十日
聂主任、陈副主任并转上级领导：
遵照今日视察指示精神，并结合集团多次研讨结果，现将晶体管计算机对外出口及相关技术合作事宜，拟定具体方案如下，请予审阅。
一、产品核心优势与定位
1.性能指标：经严格测试，其核心性能参数，包括运算速度（每秒10万次）、存储容量（4K字，可扩展至16K字）、系统稳定性（无故障运行时间已超1000小时）等，均已达到并部分超过国际同类产品（如美国BM公司近期推出的7090型）水平。其体积与功耗，更具明显优势。
2.技术独特性：整机完全采用自主生产的锗晶体管与磁芯存储器，软件系统亦为数学所自主研发，拥有完全知识产权，不受任何外部技术制约。
3.市场定位：在当前以美国为首的“巴统”组织对我方阵营实行严格技术封锁的背景下，晶体管计算机是国际市场上，唯一可获得的、性能卓越且不受政治附加条件约束的晶体管计算机系统。
二、出口策略与定价依据
1.定价方案：建议单台晶体管计算机完整系统（含基础硬件、操作系统及基础应用软件）对外报价为：玖拾捌万美元（US$980，000.00）。
2.定价理由：
（1）成本考量：包含研发成本分摊、高端材料（高频晶体管、特种磁芯等）及精密制造工时，单台硬性成本约三十万美元。
（2）价值定位：此价格仅为国际市场同类产品（报价250万至300万美元）的约三分之一至二分之一，极具价格竞争力与吸引力，充分体现我方的合作诚意。
（3）战略意义：此定价旨在传递明确信号——新中国有能力提供世界级尖端科技产品，且定价公允，意在打破西方技术垄断，而非单纯追求利润。
三、核心技术交换原则（前置条件）
为确保此次出口能切实服务于国家整体工业与科技发展，弥补我在某些关键技术领域的短板，建议将以下原则作为出口的“前置条件”，即潜在购买方需同时承诺：
“买方需同意，以出口许可或易货贸易等形式，向我方提供一份经双方确认的、与晶体管计算机价值相匹配的尖端技术、关键设备或稀缺原材料。”
（一）需求背景与战略考量
当前，我晶体管计算机虽已成功，然其制造根基仍显薄弱。一万两千余只晶体管依赖手工筛选与封装，成品率低，一致性难以保证，严重制约产能与可靠性提升，亦为下一代集成电路之研发设下障碍。西方“巴统”组织对我之封锁，核心在于掐断工业母机与精密仪器之来源。故，此次出口之根本目的，非为换取外汇，实为以应用技术换取基础工业能力，为我电子工业打下坚实根基。
（二）拟交换之关键设备与技术清单（初稿）
1.清单管理：建议由国科委牵头，联合外贸、一机、二机及我集团，立即成立专项小组，拟定一份动态更新的《关键技术及设备需求清单》。清单应聚焦当前“巴统”严格禁运、且我急需突破的领域，例如：
1.半导体材料制备与提纯设备：
区熔提纯炉：用于制备超高纯度（要求达到99.9999%以上）的单晶锗、单晶硅锭，此为制造高性能晶体管及探索硅基集成电路的基础。
单晶炉（切克劳斯基法）：用于控制生长大尺寸、低缺陷的单晶硅棒，是未来半导体工业的核心。
高精度半导体材料参数测试仪：包括电阻率、载流子寿命等关键参数的测量设备。
2.晶圆制备与光刻核心设备：
精密晶圆切片机与研磨机：用于将单晶锭精确切割为薄片（晶圆），并完成表面研磨抛光。
步进重复照相机：用于制作光刻掩模版，是将电路设计图形转移到晶圆上的关键，要求图形缩微精度达到微米级。
接触式/接近式光刻机：早期光刻的核心设备，用于将掩模版上的电路图形曝光至涂有光刻胶的晶圆上。
精密掩模版制造设备：包括高精度图形发生器和掩模镀铬、刻蚀设备。
3.薄膜沉积与掺杂工艺设备：
真空镀膜设备：用于在晶圆表面蒸发沉积铝膜，以形成晶体管电极和互联线路。
气相沉积炉：用于外延生长等工艺，在衬底上生长单晶薄膜。
扩散炉：用于对半导体材料进行定域掺杂，以形成P结，要求温度控制精确至±0.5摄氏度。
4.精密封装与测试设备：
金丝球焊机：用于将晶体管芯与管脚用极细金丝连接。
晶体管自动参数测试分选仪：可对大量晶体管进行快速、自动化的性能测试与分类，大幅提升生产